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参数目录41692
> IXTA200N085T MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
型号:
IXTA200N085T
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 85V 200A TO-263
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTA200N085T PDF
产品目录绘图
TO-263 Package
标准包装
50
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
200A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
152nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
7600pF @ 25V
功率 - 最大
480W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
管件
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